韩国宣布计划在西南地区投资约800万亿韩元建设四座晶圆厂（三星与SK海力士各两座），并在未来15年投入30万亿韩元用于存储芯片研发与基础设施。美银和高盛分析称，受建厂与投产周期限制，新产能最早需8至10年才能实质影响全球供给，短期供需格局基本不变；政府与厂商仍计划到2030年大幅扩产，但实际净晶圆产能扩张率可能低于此前预期。
6 月 30 日消息，韩国产业通商资源部长官金正官 6 月 29 日宣布，韩国计划投资约 800 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 3.55 万亿元人民币），在西南地区建设四座半导体晶圆厂，其中三星电子和 SK 海力士分别规划建设两座。
据追风交易台今日报道，美银证券分析师 Simon Woo 团队以及高盛 Giuni Lee 团队，相继就这一计划发布研究报告，表示受基建与投产周期制约，新产能最早需 8 至 10 年后方能实质影响全球供给，短期供需格局不变，投资者不应对近期供给冲击抱有过高预期。
韩国政府计划未来 15 年投入 30 万亿韩元（现汇率约合 1329.9 亿元人民币），研发下一代存储技术，并加快审批和基础设施建设，尽快扩大存储芯片产能。根据规划，中部地区将重点发展先进封装，东南部将打造半导体材料、零部件、设备及新一代功率半导体产业集群。金正官预计，未来五年全球存储芯片市场规模将增长至目前的四倍。
韩国总统办公室政策室长金容范此前表示，建设一座半导体晶圆厂大约需要 7 到 8 年的时间。正是因为建设周期长，才需要提前进行规划和部署。金容范指出，由于 AI 行业对芯片的需求呈现“指数级和爆炸性增长”，两家公司现有的龙仁半导体集群建设进程将大幅提前。
韩国存储芯片厂商重申了到 2030 年将 DRAM 晶圆产能近乎翻倍的计划，然而美银证券指出，若将旧厂关闭和新一代存储芯片更长制造周期两个因素纳入考量，实际运行晶圆产能的扩张速度每年将低于 10%，整体净晶圆增长率到 2030 年仅为个位数百分比复合增长率。