SK 海力士宣布一项总额为1100万亿韩元的中长期投资计划，在韩国龙仁、清州及西南地区大规模扩建存储器产能。龙仁集群仍为4座晶圆厂、600万亿韩元，但建设进度大幅提速，原定2045年完工的目标已提前到2033年完成第四座晶圆厂首个洁净室（Ph1）。清州获得100万亿韩元用于新建NAND晶圆厂、引入生产设备并加强HBM后段先进封装；其余400万亿韩元用于韩国西南地区的前端制程扩建，选址尚未确定。此外，公司表示若满足基础设施与生态条件，海外建厂也在考虑范围内，并将根据未来市场与业务状况决策。
6 月 29 日消息，SK 海力士今日正式宣布了其总额 1100 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 4.84 万亿元人民币）的中长期投资战略，计划在韩国龙仁、清州和西南区域进行大规模半导体产能建设。
SK 海力士在龙仁半导体集群的投资规模仍是 4 座晶圆厂共 600 万亿韩元，但其建设进度大幅加快，以满足不断增长的 DRAM 需求。这四座晶圆厂原定于 2045 年完工，但现在已加速到 2033 年完成第四座晶圆厂第一洁净室 (Ph1) 的建设。
SK 海力士既有生产基地清州也将得到 100 万亿韩元的投资，这笔资金则将用于新建 NAND 晶圆厂、引入生产设备，并加强 HBM 后端先进封装能力。
剩余的 400 万亿韩元则将用于韩国西南地区，主要围绕存储器前端制程展开。相关准备工作将立即开始，目前选址尚未确定。
SK 海力士在 Q&A 中还提到，如果满足一系列基础设施与半导体生态条件，在海外建设晶圆厂也可能被纳入考虑范畴。该企业将根据未来的市场和业务状况做出全面决策。