芯联集成（UNT）宣布推出基于自研 8 英寸碳化硅（SiC）高压平面栅工艺的 3300V SiC MOSFET，面向固态变压器等高压、高功率密度与高可靠性场景定制，目前已向核心客户送样验证。该器件通过更小单元面积和更优的导通电阻—栅电荷比实现出色的导通与开关性能。相较于 1200V 方案，在 10kV 中压固态变压器前端可减少约 60% 的功率单元与 MOSFET 用量、外围器件减少约 70%，综合 BOM 成本可降低 20~35%；公司还预告了配套的高频高耐压磁性器件。
6 月 25 日消息，芯联集成（UNT）昨日宣布推出基于自研 8 英寸碳化硅 (SiC) 高压平面栅工艺平台的 3300V SiC MOSFET 器件。该产品面向固态变压器等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。
芯联集成表示，其 3300V SiC MOSFET 以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值实现了卓越的导通与开关性能。
相较于 1200V 方案，3300V SiC MOSFET 在 10kV 中压固态变压器前端应用场景中可减少 60% 的功率单元及 MOSFET 用量，外围器件则可减少 70%，综合 BOM 成本降低 20~35%，有助于固态变压器的小型化与普及。
IT之家注意到，芯联集成还预告了适配 3300V SiC MOSFET 的高频高耐压高功率密度磁性器件。