报道来自Wccftech并在VLSI Symposium 2026披露的三星NAND路线图：计划2029年实现420层，2030年前后推进至560层以上，并在下一个十年初将层数翻倍至900–1000层。三星拟用CMB在单芯片内封装两组450层单元，使8TB QLC M.2 SSD容量可提升至最高32TB。量产主要挑战为晶圆翘曲和层间对准误差，公司将采用Upper Chuck Design与Overlay Correction等技术应对。
6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图，计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。
6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技术与电路研讨会（VLSI Symposium 2026）上，三星公开了更完整的 NAND Flash（闪存）路线图。
根据幻灯片披露的路线规划，三星计划 2029 年实现 420 层 NAND 闪存解决方案，到 2030 年推进至 560 层以上。随后在下一个十年初，继续把层数翻倍，迈向 1000 层以上产品，服务高容量存储场景。IT之家附上相关截图如下：
路线还规划展示 900 至 1000 层方案，三星计划通过 CMB（单元多重键合）连接方式，在一颗芯片内封装 2 组 450 层单元，让 8 TB 的 QLC M.2 SSD 可以提升到最高 32 TB。
在量产难度方面，三星表示主要障碍包括晶圆翘曲和层间对准误差。三星公司计划引入 Upper Chuck Design 方案来控制翘曲，并借助 Overlay Correction（叠对校正）技术降低错位风险。
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