韩联社6月23日报道称，三星电子的 HBM4 高带宽存储器自2026年2月12日量产后，用时不足5个月销售额已率先突破10亿美元（约合67.87亿元人民币）。该产品基于1cnm DRAM Die与4nm逻辑Base Die，采用12Hi堆叠（单堆栈36GB）、引脚速率13Gbps，总带宽3.3TB/s；三星上月还率先出样12Hi 48GB HBM4E，速率提升至14–16Gbps，带宽达3.6TB/s。
6 月 23 日消息，韩联社当地时间今日援引韩国芯片行业消息报道称，三星电子 HBM4 内存销售额已在业界率先突破 10 亿美元（IT之家注：现汇率约合 67.87 亿元人民币）大关。该产品此前于 2026 年 2 月 12 日正式量产。
三星半导体的 HBM4 内存基于 1cnm DRAM Die 和 4nm 逻辑 Base Die，采用 12Hi 堆叠，单堆栈容量 36GB。其引脚速率可达 13Gbps，堆栈总带宽达 3.3TB/s。
而在 HBM4 后，三星电子上月还率先出样了 12Hi 48GB HBM4E 内存，引脚速率进一步提升至 14~16Gbps，堆栈总带宽随之来到 3.6TB/s。