TrendForce 报告指出，受成熟制程 DRAM 供给结构性紧缩影响，消费级 DRAM 需求方转向旧世代颗粒以争取更多配额，导致 DDR2、DDR3 等合约价持续上扬。报告预估 DDR2 第二季合约价将上涨约 55–60%，第三季再上涨约 35–40%。原因在于三大厂将晶圆产能向 HBM 与 Server DRAM 等先进制程倾斜，缩减 DDR4 与成熟制程投片，南亚科、华邦等厂商在有限供应下提升议价并减少低毛利产品投片；为控成本，部分品牌与 ODM 也开始降规格由 DDR4→DDR3 或 DDR3→DDR2，缺货压力逐级向下传导。
6 月 22 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新研究显示，由于成熟制程 DRAM 供给结构性紧缩，迫使 Consumer DRAM（消费级内存）需求方采用旧世代产品以取得较多的 DRAM 供应配额，带动近期产业出现新一波旧世代 Consumer DRAM 颗粒采购需求。
IT之家从研报获悉，包括 DDR2、DDR3 等世代的 Consumer DRAM 颗粒合约价将延续 2026 年第一季的上涨动能，预估 DDR2 第二季度合约价涨幅将达约 55-60%，第三季度预估将进一步上涨 35-40%。
从供给面来看，由于 DRAM 三大原厂顺应 AI 基础建设带动的 HBM 及 Server DRAM 需求，持续将晶圆产能向先进制程倾斜，缩减 DDR4 与其他成熟制程的投片配置，迫使 DDR4 等 Consumer DRAM 需求方，转向其他供应商寻求支持。随着订单需求显著超过厂商可供应的位元出货量，Nanya（南亚科）、Winbond（华邦电子）等厂商的议价优势显著增强，在有限的供应之下，策略上采取缩减低毛利产品的投片比重，以改善获利结构。
就需求端而言，在 Consumer DRAM 颗粒供给持续紧缩、合约价连月攀升，出于对整机成本控制的考量，部分品牌厂与 ODM 厂已着手下修 DRAM 规格，自 DDR4 降规格改采 DDR3、或自 DDR3 降规格改采 DDR2，尝试以较低容量或更旧的制程世代，争取相对足够的 DRAM 出货配额，Consumer DRAM 颗粒的缺货压力因此沿着制程世代逐级向下传导。
参考
- 研报 | Consumer DRAM 紧缺态势延伸 DDR2 产品，第三季合约价将持续上扬