报道指出，三星电子正与多家合作伙伴开发第七代10纳米级（1d）DRAM 的量产设备，目标在明年第二或第三季度导入设备，最早于明年年底开始初步量产。1d线宽约10~11纳米，较现有1c（11~12纳米）更窄，有助于提升性能与能耗表现。三星已进行内部样品与评估，但关键设备仍在开发中；该工艺被视为AI内存及2029年商业化的HBM5E核心芯片的重要组成部分。
6 月 17 日消息，ZDNET Korea 今日报道称，三星电子的下一代 DRAM 量产计划正逐步明确。
消息人士透露，该公司目前正与多家合作伙伴共同开发用于第七代 10 纳米级（1d）DRAM 的量产设备，目标最早在明年第二季度开始导入相关设备。三星电子计划最早于明年上半年启动 1d DRAM 的初步量产准备工作。
▲ 三星电子平泽工厂
据介绍，1d DRAM 的电路线宽约为 1011 纳米，相比当前已商用的第六代 10 纳米级（1c）DRAM 的 1112 纳米线宽进一步缩小。线宽越窄，代表 DRAM 的性能和能耗控制水平越高。
此前三星电子已对 1d DRAM 进行了包括初期样品制作在内的内部量产评估。虽然一度有观点认为三星最早可能在今年内启动 1d DRAM 量产，但由于关键设备仍处于开发阶段，这一预期被认为不切实际。目前三星与合作方讨论中的 1d DRAM 量产设备导入目标时间为明年第二季度。考虑到实际量产准备所需的时间，三星启动 1d DRAM 初步量产的时间点最早也要到明年年底。
一位半导体行业相关人士表示：“三星电子正在与主要合作伙伴积极进行研发，以稳定 1d DRAM 的良率和性能。日程可能会有变动，但目标是在明年第二季度或第三季度引入量产设备。”
另一位相关人士则表示：“三星电子的 1d DRAM 属于开发进展相对较高的工艺，预计明年可以开始量产，今年年底左右计划将更加具体化。”
三星电子的 1d DRAM 预计将在其 AI 内存业务中发挥重要作用。特别是计划于 2029 年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E），将采用 1d DRAM 作为核心芯片。IT之家后续将保持关注。
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