三星电子在2026年IEEE VLSI研讨会上展示了全球首款5nm MRAM研发成果。该MRAM具备非易失性、宽工作温度范围（-40~+150°C）并满足AEC-Q100标准，三星正朝2027年量产目标推进。文中还提及三星此前展示的8nm MRAM及基于8nm的边缘AI芯片已在今年5月完成流片。
6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。
▲ MRAM 结构示意
相较 DRAM，MRAM 的一大优势是其具备非易失性 (Non-Volatile)，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。
三星电子的 5nm MRAM 拥有 -40~+150 ℃ 的宽广工作环境温度范围，能满足 AEC-Q100 标准要求，正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。
IT之家注意到，三星电子今年早些时候在另一场学术会议上展示了 8nm MRAM，基于 8nm MRAM 的边缘 AI 芯片也在今年 5 月完成了流片。