据报道，湖北江城实验室在电容关键技术上取得突破，研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接集成在芯片内部或紧邻硅基板，适用于AI/GPU及高性能处理器，支持纳秒级大电流瞬态响应，目标客户包括国内CPU、GPU和手机处理器厂商。相关技术正进行工艺流片与小批量试产，计划在先进封装领域实现规模化应用。
6 月 12 日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法。
据介绍，该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。
IT之家从报道中获悉，这款片上电容可以直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内，越靠近核心，越适合 AI 芯片纳秒级大电流瞬态响应，目标客户涵盖国内的 CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。
目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。