6月8日，三星电子副会长兼联席CEO全永铉在首尔出席英伟达活动并与英伟达CEO黄仁勋举行闭门会谈。双方讨论了短期在HBM4、4纳米与8纳米节点代工及自动驾驶与加速器芯片的合作，同时就长期合作方向展开广泛讨论，包括HBM4E、HBM5、代工业务与低功耗内存模组（SOCAMM）供应等。三星表示将全力供应相关内存并争取成为英伟达的最佳合作伙伴。
6 月 8 日消息，据首尔经济日报报道，三星电子副会长兼联席 CEO 全永铉（Young Hyun Jun）周一出席了在首尔市中区新罗酒店迎宾馆举行的英伟达“韩国 AI 生态系统招待会”。
IT之家获悉，在当天傍晚与英伟达首席执行官黄仁勋举行闭门商务会议后，全永铉告诉媒体：“我们与英伟达已经合作了很长时间，我认为我们进行了（迄今为止）最好的对话。”
全永铉称与黄仁勋就 HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。全永铉表示，我们正在合作研发 4 纳米和 8 纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及英伟达的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括 HBM4E、代工业务、HBM5 以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。
三星电子特别强调，其需要全力供应 HBM4 以及低功耗内存模组 SOCAMM。该公司计划从明年开始，通过 HBM4E 和 HBM5 继续与英伟达进行长期合作。
同时，关于与英伟达在内存供应方面的长期协议（LTA），全永铉表示：“三星电子将尽最大努力，作为英伟达最佳合作伙伴来协助其取得成功。”