6 月 5 日消息，据韩媒 The Elec 于 5 日（今天）下午援引知情人士消息称，SK 海力士已向主要供应商说明最新的扩产计划，目标是在 2030 至 2031 年把 DRAM 晶圆投片产能提高到接近目前两倍。
这项扩产路线图在 2026 台北国际电脑展之前就已制定完成。展会期间，英伟达 CEO 黄仁勋曾在一片 SK 海力士 DRAM 晶圆上写下“请多生产”，也从侧面凸显 AI 存储产品需求正在快速升温。
多名行业人士透露，过去两个月，SK 海力士采购团队以及负责龙仁半导体集群的人员，已陆续向主要供应商说明到 2030 年扩大晶圆投片产能的计划。
按照计划，SK 海力士希望到 2030 年把 DRAM 晶圆月投片产能从目前约 55 万片提高到约 100 万片。现有产能中包括无锡工厂约 20 万片月产量，新增产能预计主要来自龙仁半导体集群。
SK 海力士计划把龙仁第一座晶圆厂划分为六个洁净室，并从 2027 年 2 月起向第一个洁净室搬入设备。第一阶段设备安装完成后，龙仁工厂将新增 6 万片月产能；此后，SK 海力士计划每隔六个月启用一个新增洁净室，每次再增加 6 万片月产能。若按现有时间表推进，仅龙仁第一座晶圆厂到 2030 年上半年就可新增 36 万片 DRAM 月产能。
清州 M15X 晶圆厂也在扩建。M15X 计划今年下半年投产，初期月产能为 4 万片晶圆，明年预计提升至约 8 万片。若龙仁新增 36 万片产能也按期释放，SK 海力士 DRAM 晶圆月投片总产能到 2030 至 2031 年有望达到约 100 万片。
NAND 闪存方面，SK 海力士被认为主要聚焦技术升级，包括提高堆叠层数。一名半导体设备行业人士表示：“可以理解为，SK 海力士是在要求供应商为快速、大规模扩产做好准备。”
据IT之家了解，这项计划也与 SK 集团董事长崔泰源最近的表态相呼应：全速在五年内将整体晶圆产能提高一倍。
不过，供应商仍在谨慎观望这份激进路线图能否如期落地。2022 年，SK 海力士曾向供应商提供下一年度资本开支指引，但同年秋季又大幅削减设备订单。部分供应商已经依据指引采购零部件，后来承受了明显现金流压力。业内人士也指出，如果任何一类设备交付延迟，每六个月填满一个洁净室的节奏都可能被打乱。
一名供应商人士表示：“短期来看，投资增加已经很明确，对设备和材料供应商是重大利好。但整份路线图最终能否完成，还是要看市场需求能不能支撑。”