璞璘科技（PRINANO）与力策科技合作，采用其真空气压式晶圆级纳米压印（NIL）设备 PL-AS 及定制双层压印胶与核心工艺，绕开传统 DUV 光刻路线，实现 8 英寸光芯片晶圆的规模化量产，并宣称将制造成本降至传统 DUV 方案的 1/10。PL-AS 支持＜10nm 线宽分辨率、整面压印压力均匀性误差＜0.5%、无残余层工艺，对准精度可定制至百纳米级，兼容平面或曲面衬底与硬/柔性模板；通过面施力将 RLT 偏差控制到＜2nm，吞吐量优于步进式 NIL 设备。其结构比 DUV 更简化、无需昂贵光学系统且可使用寿命更长的复合模板，是其提出显著成本优势的主要理由。
6 月 5 日消息，据璞璘科技 (PRINANO) 消息，该企业近日与客户力策科技合作，采用真空气压式晶圆级 NIL（纳米压印）图案化设备 PL-AS，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，完全绕开 DUV 光刻路线实现 8 英寸光芯片晶圆可规模化量产，并将芯片制造成本压缩至传统 DUV 方案的 1/10。
IT之家了解到，PL-AS 机台支持＜10nm 的线宽分辨率，晶圆整面压印压力均匀性误差低于 0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度可定制至百纳米级。同时其支持平面或曲面衬底，兼容硬质与柔性模板。
相较传统的辊压法晶圆级 NIL，PL-AS 通过面施力保障晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，将 RLT 偏差控制到＜2nm，同时其吞吐量显著高于步进式的佳能 NIL 设备。
此外，璞璘 PL-AS 作为气压式设备结构较 DUV 更为简单，无需昂贵的光学系统，还可以使用寿命更长的复合模板，这是其具备显著成本优势的原因。