文章报道慧荣（Silicon Motion）发布面向 AI 推理与 KV 缓存优化的 SSD 主控 SM2524XT：基于台积电 6nm、4 核 DRAM-less 架构，支持 PCIe Gen5 ×4，4 个 4800MT/s 闪存通道，顺序读取可达 14GB/s、约 2.5M IOPS，能效较上代提升约 25%。该主控针对高度碎片化且对延迟敏感的持续随机读写（KV 缓存）负载进行优化，旨在在持续推理会话中保持稳定的随机 I/O 性能。
5 月 28 日消息，慧荣 (Silicon Motion) 今日发布面向 AI 推理与 KV 缓存工作负载优化的固态硬盘主控芯片 SM2524XT。
SM2524XT 基于台积电 6nm 制程工艺，拥有 4 个内核，采用 DRAM-less 架构，支持 PCIe Gen5 ×4。慧荣表示其相较上代产品能效改进 25%，即使在最严苛的热环境下也能维持数据吞吐能力。
这颗主控拥有 4 个 4800MT/s 闪存通道，顺序读取速率可达 14GB/s，而 2500K IOPS 意味着其随机性能代际提升达到 25%。
慧荣表示：
随着设备端 AI 推理复杂度的不断提升，KV 缓存已成为决定 AI 个人电脑响应速度快慢的关键存储瓶颈。与传统的消费级 SSD 工作负载不同，KV 缓存会产生持续不断的高度碎片化、对延迟敏感的随机读写操作流，这些操作要求在持续负载下保持稳定的 IOPS 吞吐量和坚如磐石的低延迟性能。
SM2524XT 经过从零开始的精心设计，旨在攻克这些由 AI 驱动的访问模式，即使在最严苛的持续推理会话中，也能保持稳定的随机 I/O 性能。
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