TrendForce:美光弗州新产能投运并不意味总 (LP) DDR4 产能增加

TrendForce 指出,美光在美国弗吉尼亚马纳萨斯的 Fab 6 启动 1α 工艺 DRAM 产能,主要为美国产业提供本地化利基内存供应,是企业内部产能配置调整;同时其在台湾的部分产能正由 1α 升级至 1β、1γ,以提升 HBM 与 DDR5 能力。报告强调美光的 LPDDR4 与 DDR4 总量并未增加,且未恢复面向消费市场的 DDR4 供应。由于 DDR4 在网络通信领域仍关键,机构预计今年 DDR4 将持续缺货且价格上行。

5 月 26 日消息,机构 TrendForce(集邦)今日表示,Micron(美光)在其位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的 Fab 6 晶圆厂启动 1α (1-alpha) 工艺 DRAM 的生产仅是企业内部产能配置的调整,旨在为美国关键行业提供本地化利基内存供应保障。

美光在马纳萨斯新 1α 产能投产的同时,正将其位于中国台湾地区的部分 DRAM 产能逐步从 1α 升级至 1β、1γ,提升 HBM、DDR5 供应能力。总体而言该企业的 LPDDR4 与 DDR4 合计产能并无增加,美光也没有重启对消费性 DDR4 的供给。

由于 DDR4 在网络通信行业仍占据重要定位,机构预计今年该类型内存将持续缺货价格维持上行

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