三星电子采用单元多层键合(CMB)技术将两片450层3D NAND键合为一片900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并验证了存储单元的工作特性。为解决制造难题，三星用“上部卡盘”应对晶圆翘曲，采用新型套刻校正克服微细对准误差，同时通过改进位线(BL)与字线(WL)优化功耗与尺寸。该样品目前为原型阶段。
5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND，构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。
▲ 三星电子 V9 QLC
将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整合为一片 900 层 NAND，这一过程对键合的可靠性提出了非常高要求。
三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper Chuck) 解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，此外位线 (BL) 与字线 (WL) 的改进也同时改进了功耗和尺寸。