东芝于 5 月 21 日开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET 测试样品 TW007D120E，主要面向采用 800V HVDC 架构的下一代 AI 数据中心电源系统，也适用于可再生能源设备。该器件采用东芝专有沟槽栅结构，单位面积导通电阻较现有产品降低约 58%，品质因数提高约 52%，有助于降低发热、提升系统效率与功率密度并改善散热性能。东芝计划在 2026 财年实现该产品量产，并将扩展产品线（包括面向汽车的产品）。
5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。
TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构，单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58%，达到业界领先水平；同时其品质因数较现有产品提高了约 52%。
这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，对下一代 AI 数据中心的功率转换至关重要。
东芝计划在 2026 财年实现 "TW007D120E" 的量产，并将继续拓展其产品线，如开发面向汽车应用的产品。