ZDNET Korea 报道称，铠侠（KIOXIA）将 BiCS10（332 层）3D NAND 的量产时间从此前曝光的 2026 年推迟到 2027 年，相关投资细节预计 2026 年下半年更明确。BiCS10 将堆叠至 332 层，支持 4.8Gbps I/O，位密度较 BiCS8 提升约 59%。铠侠在 BiCS8 引入 CBA（CMOS 直接键合到存储阵列）架构，基于此的 BiCS9 已出样。
5 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，业内消息人士指出 KIOXIA（铠侠）计划在 2027 年量产第十代 BiCS FLASH 产品，相关投资细节待到 2026H2 会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的 2026 年量产计划。
铠侠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接键合到存储阵列）架构，解耦了 NAND 中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新 CMOS 技术的 BiCS9 产品已于去年出样。
而 BiCS10 则将存储单元的堆叠层数提升到 332 层，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%。