据韩媒 ETNEWS 报道，随着 DRAM（尤其是 HBM）业务竞争力恢复，三星电子设备解决方案（DS）部正在讨论重启半导体新业务的研发和投资。讨论重点包括下一代 V10 NAND（堆叠层数预计跃升至 400 层以上以提高单位晶圆容量）、化合物半导体、先进封装及基板等此前在路线图上但进展较慢的领域。文章指出，三星自 2024 年推出第九代 286 层 V‑NAND 后，量产制程已出现逾两年停滞，若推进 V10 需引入多项工艺创新；此外文末提及与氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）产线相关的市场动向。
5 月 11 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称，在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。
此次讨论的重点包括下一代 (V10) NAND 闪存、化合物半导体、先进封装及基板，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。
三星电子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本进入量产阶段，此后一直未上线新的 NAND 工艺节点。换句话说其量产制程出现了超过 2 年的停滞。
从目前媒体侧的消息来看，三星电子的 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上，提升单位晶圆的容量产出。而为了达成这一目标，该企业需要引入一系列的工艺创新。
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