韩国芯片设计服务公司 SEMIFIVE 与中国磁自旋芯片研发企业寒序科技（ICY Tech）合作，流片采用三星 8LPU 制程的 eMRAM 新一代边缘 AI SoC。该项目为 SEMIFIVE 首次使用 eMRAM 的 ASIC 设计，并被视为亚洲首次商业部署 8nm eMRAM 的重要里程碑。eMRAM 为基于 MTJ 的非易失性高密度存储，芯片采用 PNM（近内存处理）架构以缓解端侧推理的带宽瓶颈，宣称可支持 2B 规模模型在端侧运行。
5 月 7 日消息，韩国芯片设计服务企业 SEMIFIVE 当地时间 7 日宣布，其与中国磁自旋芯片研发企业寒序科技 (ICY Tech) 合作，成功流片一款采用三星晶圆代工 8LPU 制程 eMRAM（IT之家注：嵌入式磁性随机存取存储器）的新一代边缘 AI 芯片。
该项目是 SEMIFIVE 首次利用 eMRAM 技术进行 ASIC 设计项目，流片的胜利也标志着亚洲首次商业部署 8nm eMRAM 技术的重要里程碑。
eMRAM 是一种非易失性存储器，不需要类似 DRAM 定期刷新操作；同时其单元尺寸更小，可实现较 SRAM 更高的数据密度。其基于 MTJ（磁隧道结）结构，以 MTJ 处单位单元的电阻变化为基础，使用自旋替代电荷存储数据，几乎可以无限期保留信息。
同时，寒序科技的这款芯片采用 PNM（近内存处理）架构设计解决了端侧推理面临的带宽瓶颈，可支持 2B 模型端侧运行。