硅来半导体在2026九峰山论坛上发布面向8/12英寸碳化硅(SiC)晶锭的新一代激光隐切机台，将切割时间由上代的15分钟/片提升至10分钟/片（提速50%）。公司称该设备在加快切割速度的同时维持剥离效果和后续分片一致性，不压缩磨抛和外延等后道工艺窗口，量产良率>98%，并强调效率提升并未以工程稳定性为代价。
5 月 7 日消息，硅来半导体 (Si LAI) 在 4 月下旬于武汉举行的 2026 九峰山论坛上发布了新一代 10min / 片碳化硅 (SiC) 激光隐切设备。其面向 8/12 英寸 SiC 晶锭加工，相较上代设备（15min / 片）提速 50%。
硅来半导体表示，其新一代 10min / 片激光隐切机台在缩短切割用时的同时继续控制剥离效果和后续分片一致性，且尽量不压缩磨抛、外延等后道工艺窗口，效率的提升并没有以工程稳定性为代价，量产良率＞98%。