三星电子公布2026Q1财报：存储器方面计划于2026Q2出样HBM4E，Q1 DRAM ASP同比上涨逾90%，NAND ASP接近90%，预计今年HBM营收同比增长3倍并自Q3起HBM4将占HBM收入一半以上。晶圆代工方面取得大规模光通信组件公司订单，奠定硅光子业务基础，下半年启动2nm第二代移动产品产能爬坡并扩展4nm产能；美国泰勒项目1号厂今年内爬坡、2027年量产，2号厂计划仍在审议。显示业务下半年将以差异化旗舰与8.6代IT OLED量产推动营收增长。
4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到，计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存。
三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示，一季度 DRAM ASP（平均销售价格）增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90%。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。
在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。对于美国泰勒项目，1 号晶圆厂年内产能爬坡、2027 年量产，2 号晶圆厂计划正在审议。
此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产推动营收增长。