NEO Semiconductor 宣布其 X-DRAM 概念验证芯片成功制造，表明该 3D 堆叠内存可用现有 3D NAND 产线生产。验证芯片实现耐久 10¹⁴ 次循环、读写延迟＜10ns、85℃ 下数据保持时间＞1s（约为 JEDEC 标准 DRAM 64ms 的 15 倍）。公司同时获得由宏碁创始人施振荣领投的新一轮战略投资。相关阅读提及该技术为类 3D NAND 设计，宣称可实现 8 倍密度及 230 层。
4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。
NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（IT之家注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。
NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。
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