SK海力士在2026Q1财报电话会上表示，HBM4E开发进展顺利，计划2026年下半年出样、2027年量产，产品将采用已在其它产品验证过、成熟良率的1c nm DRAM裸片，基础裸片正以满足客户性能为目标优化。公司认为像谷歌TurboQuant的数据压缩是为提高内存使用效率而非降低总体内存需求，随着AI服务普及内存需求将继续增长并推动存储半导体分层。闪存方面，目标在2026年将超过半数韩国本土产能转换为321层V9 NAND（从176层V7跨越），以显著提升NAND生产效率；未来产能扩张聚焦龙仁半导体集群，目前无其它建厂或收购计划，但会灵活应对中长期需求。
4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。
SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。
SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及，内存需求还会进一步增加；而 AI 服务的多样化也将推动存储半导体的进一步分层。
在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步将大幅提升 NAND 生产效率。
SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群，目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。