力积电（PSMC）宣布与美光联合研发1P制程DRAM，规划于2027Q1导入设备、2028H1试产、2028H2量产；1P制程单位晶圆产出为现有工艺的2.5倍。受美光委托的后端PWF业务预计2026Q3导入设备、2026Q4试产、2027Q4量产，目标月产能2万片晶圆。公司将3D AI Foundry视为未来增长点，高密度电容IPD 2.5D中介层已获国际大厂认证即将量产，WoW四层晶圆堆叠认证顺利，有望2027年小规模量产。力积电已于今年提升12英寸DDI与图像传感器代工价格（涨幅逾10%），并大幅提高NAND闪存晶圆代工投片价；预计年内完成MLC NAND工艺开发，2027H2可供客户定案。
4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。
IT之家了解到，1P 制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的 2.5 倍，可为力积电未来利基型 DRAM 业务的发展打下坚实技术基础。
而力积电受美光委托的 PWF（后端晶圆制造）业务则预计 2026Q3 启动设备导入、2026Q4 试产、2027Q4 量产，目标月产能 2 万片晶圆。
力积电将 3D AI Foundry 视为重要的未来业务增长点，其高密度电容 IPD（整合式被动元件）2.5D 中介层已通过国际大厂认证，即将量产；WoW 四层晶圆堆叠认证进程顺利，有望 2027 年小规模量产。
该企业已在今年 1 月上调了 12 英寸 DDI 与图像传感器代工价格，涨幅在 10% 以上；而在今年 4 月又大幅提升了 NAND 闪存晶圆代工的投片价格。其有望在年内完成 MLC NAND 工艺开发，2027H2 可供客户设计定案.