ROHM（罗姆）在2026年3月完成第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。该器件通过结构改进与制造工艺优化，使得在175℃结温下的导通电阻较上一代降低约30%，有助于缩小电动汽车牵引逆变器等高温应用的单元体积并提升输出功率，同时适用于AI服务器电源和数据中心等工业电源。ROHM计划自2026年7月起提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块样品，并将扩大产品阵容、完善设计工具与应用支持。
4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。
罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。