综合 edaily 与 ZDNET Korea 报道，三星半导体加速扩产以应对 AI 带来的先进逻辑与存储芯片需求：位于美国得克萨斯州泰勒的 2nm 逻辑晶圆厂已进入试运营，EUV 光刻机测试与蚀刻、沉积等主要设备分阶段导入，计划今年内启动初步产出并在 2027 年全面投产；在韩国平泽，P4 晶圆厂为 PH2 与 PH4 两阶段下达大量前端设备订单，均将产出支持 HBM4/4E/5 的 1c nm DRAM die，PH1 已完成投资，PH3 设备安装接近完成并有望年内达到 13–14K WPM，PH4 计划 5–6 月导入设备，PH2 已启动洁净室建设并预计 2027 年 2 月完成装机。
4 月 6 日消息，综合两家韩媒 edaily 和 ZDNET Korea 的报道，三星电子的半导体部门正加快扩产速度，因应 AI 热潮下对先进逻辑与存储半导体产能的需求。
在逻辑芯片方面，据 edaily 昨日报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的 2nm 晶圆厂已进入试运营阶段，EUV 光刻机的测试已启动，蚀刻和沉积流程的主要设备也正分阶段导入，为今年内的初步运营和 2027 年的全面投产做好准备。
▲ 三星泰勒
而对于内存，参考 ZDNET Korea 今日报道，三星电子在 3 月末为平泽 P4 晶圆厂集群的最后两个阶段 —— PH2 和 PH4 —— 下达了大宗前端设备订单。这两阶段都将生产支持 HBM4、HBM4E 乃至 HBM5 的 1c nm DRAM Die。
平泽 P4 的 PH1 已完成投资；PH3 的设备安装工作也基本完成，有望在年内实现 1314K WPM 的投片量；剩余阶段中 PH4 的整体进度会稍微快一些，计划今年 56 月启动设备导入；PH2 目前已启动洁净室建设，今年 11 月启动装机，2027 年 2 月有望完成。
▲ 三星平泽