报道指出三星正评估在第七代 HBM（HBM4E）的 base die 采用 2nm 制程。文中解释了从 HBM4 起 base die 功能从简单控制增强为需处理部分计算任务，重要性提升。为提高 HBM4 性能，三星已由内部晶圆代工用 4nm 工艺生产 base die，并配合第六代 10nm（1c）DRAM，较早于 SK 海力士采用的台积电 12nm。行业预计 HBM4E 将出现面向客户的定制产品，三星计划年中发布标准版 HBM4E，下半年按客户安排进行首次流片（tape-in）。
3 月 13 日消息，据韩媒 Business Korea 昨天报道，三星电子计划在下一代 HBM 芯片中应用 2nm 制程工艺，在提升技术竞争力的同时紧密结合内存制造、半导体代工能力。
行业人士透露，三星正在为第七代 HBM（HBM4E）的 base die 评估 2nm 制程工艺。
从原理层面讲，HBM 由 core die 和 base die 组成，前者是垂直堆叠的 DRAM，后者则是起控制器作用。在 HBM3E 之前，base die 只负责较为简单的控制功能，但从 HBM4 时代开始，它需要直接处理部分计算任务，逻辑电路功能得到加强，重要性显著提升。
为了提升 HBM4 的性能，三星电子已经找到三星晶圆代工部门生产 4nm 工艺 base die，并结合了最先进的 1c DRAM（第六代 10nm 工艺），成功领先采用台积电 12nm 工艺的 SK 海力士。
半导体行业预计，从 HBM4E 开始，面向客户定制的 HBM 芯片将正式出现，其中三星计划年中发布标准版 HBM4E，下半年则根据客户安排为定制产品进行首次 tape-in（IT之家注：流片）。