根据 Counterpoint Research 报告，2026 年 Q1 移动内存价格大幅上涨（DRAM 环比>50%，NAND 环比>90%），引发智能手机 BOM 成本结构性变化。低端机（批发价<200 美元）在维持其他成本不变情况下，典型 6gb+128gb 机型 bom 环比上升约 25%，内存占比升至约 43%；中端（400–600 美元）以 8gb+256gb 配置为例，dram 与 nand 在 bom 中份额将分别升至 14% 与 11%，预计 q2 进一步上升；高端旗舰（>800 美元）受 2nm 芯片与大容量内存双重压力，采用 16GB+512GB 的机型预计 Q2 BOM 增加 100–150 美元，DRAM/NAND 占比分别达约 23%/18%。厂商应对措施包括精简产品线与降级非核心配置，但分析师认为常规降本有限，2026 年智能手机零售价上调几乎不可避免（预计低端上调约 30 美元，高端部分旗舰上调 150–200 美元），厂商将面临毛利率与出货量的艰难权衡与短期亏损风险。
3 月 10 日消息，根据 Counterpoint Research 内存价格追踪报告，2026 年第一季度移动内存价格持续大幅上涨，其中 DRAM 价格环比涨幅超 50%，NAND Flash 价格环比暴涨超 90%。
此次大幅涨价正引发智能手机物料清单（BOM）成本的结构性变化。Counterpoint 元器件成本与拆解服务数据显示，尽管所有价位段均受影响，但入门级机型所受冲击尤为严重。
- 低端机型（批发价＜200 美元）：在其他元器件成本保持稳定的前提下，2026 年第一季度，采用 6GB LPDDR4X + 128GB eMMC 内存配置的典型机型，其整体 BOM 成本环比将上涨 25%，内存成本占比将高达 43%。
- 中端机型（批发价 400–600 美元）：该价位段通常采用多样化配置面向不同用户群体。以 8GB LPDDR5X + 256GB UFS 4.0 配置为例，2026 年第一季度，DRAM 与 NAND 在 BOM 中的占比将分别升至 14% 和 11%，预计到第二季度将进一步攀升至 20% 和 16%。
- 高端及旗舰机型（批发价＞800 美元）：旗舰机将面临大容量内存与 2nm 旗舰芯片的双重成本压力。采用 16GB LPDDR5X HKMG + 512GB UFS 4.1 配置的旗舰机型，预计到 2026 年第二季度，BOM 成本将增加 100–150 美元，届时 DRAM 与 NAND 占比将分别达到 23% 和 18%。
高级分析师白胜浩指出：“内存价格暴涨正对智能手机 BOM 成本产生结构性影响。2026 年，手机厂商将在元器件成本、毛利率与出货量目标之间艰难平衡。高度依赖入门机型抢占市场份额的厂商，将面临短期亏损的重大风险。”
为缓解压力，手机厂商正调整策略：
- 精简产品线：下调低端机型预期出货量。
- 配置优化：严控硬件规格，降级非核心配置以对冲成本。
白胜浩进一步表示：“面对内存价格的大幅上涨，常规降本措施效果可能有限。2026 年智能手机零售价上涨几乎不可避免。我们预计低端机型零售价将上调约 30 美元（IT之家注：现汇率约合 207.5 元人民币），部分高端旗舰的成本压力也将转嫁给消费者，涨价幅度或达 150–200 美元（现汇率约合 1384 元人民币）。”