NAND 晶圆成本单月飙升 25%,报告警告行业恐面临“周期性崩溃”

文章报道了2026年2月存储现货价格的上涨情况,特别是NAND闪存晶圆价格涨幅最大,DDR5和DDR4芯片价格也有不同程度上涨。报告指出,价格上涨的主要原因是AI基础设施建设导致的需求增加和供应紧张,同时存储厂商将产能转向利润率更高的企业级SSD,进一步推高了市场价格。

3 月 5 日消息,DigiTimes 今日公布的市场数据显示,2026 年 2 月存储现货价格整体上涨,其中 NAND 闪存晶圆价格涨幅最大

报告指出,随着存储需求与供应之间的缺口不断扩大,现货价格正迅速上升,同时采购资金压力也在增加。如果这一趋势持续,行业甚至可能面临周期性崩溃。

DDR5 16G(2Gx8)芯片平均价格升至 39 美元(IT之家注:现汇率约合 269.3 元人民币),环比上涨 7.4%;1TB TLC 闪存晶圆价格上涨 25%,达到 25 美元(现汇率约合 172.6 元人民币),成为当月涨幅最大的产品。

其中,春节假期一度让 2 月中旬的交易活动降温,但假期结束后现货市场迅速恢复,价格继续上行。

DDR4 市场表现则较为分化。

  • 16GB(2Gx8)几乎没有变化,仅微涨 0.26% 至 78.10 美元(现汇率约合 539.3 元人民币)
  • 8GB(1Gx8)上涨 6.8% 至 33 美元(现汇率约合 227.9 元人民币)

相比 1 月 DRAM 产品普遍 20% 至 30% 的月度涨幅,DDR4 涨幅明显放缓。DDR3 4GB(512Mx8)芯片价格上涨 7.5%,达到 5.70 美元(现汇率约合 39.4 元人民币)。

DigiTimes 认为,这种变化更多是季节性因素,而不是市场压力缓解。

与此同时,存储合约价格的预期也在明显上调。TrendForce 在 2 月初上调 2026 年第一季度传统 DRAM 合约价格预测,将此前预计的 55% 至 60% 环比涨幅提高至 90% 至 95%。PC DRAM 价格预计将环比翻倍以上,创下新的季度纪录。NAND 闪存合约价格预计环比上涨 55% 至 60%,同样高于此前 33% 至 38% 的预测。

推动价格上涨的核心动力来自 AI 基础设施建设。服务器 DRAM 和高带宽存储器需求持续吸收产能,导致传统 DRAM 和消费级 NAND 市场供应趋紧。自 2025 年末以来,北美云服务提供商已经提前锁定大量订单和产能,使其他买家在供应优先级中被不断后移。即便是已经获得供应商配额的一线 PC 厂商,库存水平也在持续下降。

在 NAND 市场,2 月现货价格上涨只是更长期趋势的一部分。DigiTimes 数据指出,自 2025 年 10 月以来,1TB QLC / TLC 闪存晶圆价格已经上涨约三倍,而 512GB TLC 价格同期上涨接近五倍。究其原因,是存储厂商将更多产能转向利润率更高的企业级 SSD,减少了模组厂商能够获得的晶圆供应,从而持续推高整个市场价格。

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