三星电子将于2024年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，标志着其2D NAND闪存时代的结束。该生产线将转向1c nm DRAM内存制造，专注于后端工艺。
2 月 25 日消息，韩媒 The Elec 今日报道称，三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，该企业的 2D NAND 闪存时代也将随之正式结束。
三星电子早在 2013 年就实现了 3D NAND (V-NAND) 的量产，不过在 2D → 3D 的过渡期后，三星还是保留了小规模的 2D NAND 产能以应对特殊利基市场的需求。
▲ 三星电子早期 2D NAND 产品图源：三星半导体官网 华城 12 号生产线未来将服务于 1c nm DRAM 内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺，与同在华城园区的 1c nm 前端生产线实现协力。除在华城的 DRAM 制程升级外，三星还在平泽园区大力扩展 1c nm DRAM 内存产能。