韩美半导体在Semicon Korea 2026展会上展示了新型宽幅热压键合设备，该设备专为下一代高带宽内存HBM5和HBM6设计，旨在解决混合键合设备商业化延迟的问题。新技术通过增加硅通孔和I/O数量，改善功耗，提升内存容量和带宽，同时可选配无助焊剂键合以减少芯片氧化层并增加接合强度，有助于降低HBM厚度。此外，该技术还能提升HBM的生产良率和质量，为HBM5和HBM6的发展铺路。
2 月 13 日消息，据韩媒《Chosun Biz》报道，韩美半导体（Hanmi Semiconductor ）于 11 日参加“Semicon Korea 2026”半导体展会，同步展示新型宽幅热压键合设备（IT之家注：Wide TC Bonder）。
据报道，韩美半导体当天发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品 HBM5、HBM6 打造，公司代表人表示：“由于技术难题，HBM 量产所用的混合键合（Hybrid Bonder）设备商业化进程被推迟。而我们的新型宽幅热压键合设备有望填补这一空白”。
据悉，这项技术可在 HBM Die 面积扩大时增加硅通孔（TSV）以及 I/O 数量，相比传统的高堆叠方式能够改善功耗。同时还能够增加连接 DRAM Die 的中介层（Interposer）与微凸点（Micro Bump）数量，有利于提升内存容量以及带宽。
此外，这项技术还可选配“无助焊剂（Fluxless）键合”，能够减少芯片表面的氧化层并增加接合强度，有助于进一步降低 HBM 的厚度。
该公司还认为，这项技术能够提升 HBM 的生产良率、质量，为 HBM5、HBM6 的发展铺路。