SK 海力士在SEMICON Korea 2026半导体展会上介绍了其正在探索的AIP（All-in-Plug）技术，该技术能够一次性蚀刻300层以上的3D NAND，有望大幅减少蚀刻次数，优化成本表现。目前的高堆叠3D NAND需要多次堆栈键合，影响了成本、生产效率和良率。SK 海力士计划在V11 NAND中导入这项技术。
2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中就包括 NAND 端的 AIP (All-in-Plug)。
3D NAND 闪存的各层间需要以细长垂直孔道连接，但目前的 HARC 高纵横比接触刻工艺一次仅能加工出 100~200 层深度的通道，因此现有的高堆叠 3D NAND 实际上是将多个堆栈键合在一起的，这种工艺影响了最终的成本、生产效率、良率。
而 AIP 技术允许一次性蚀刻 300 层以上，如果其得到实际应用将可大幅减少蚀刻次数，优化成本表现。SK 海力士正朝在 V11 NAND 中导入这项技术的目标迈进。