三星电子公布垂直堆叠 zHBM,宣称定制 cHBM 能效可达标准品 2.8 倍

文章介绍了三星电子在SEMICON Korea 2026半导体展会上推出的最新AI内存产品项目,包括垂直堆叠的zHBM、集成计算单元的cHBM以及正在标准化过程中的LPDDR6-PIM。这些新技术旨在提升内存带宽、降低延迟和功耗,特别适合AI推理工作负载。

2 月 12 日消息,在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上,三星电子的代表介绍了 zHBM、cHBM、LPDDR6-PIM 等最新 AI 内存产品项目。

目前的 HBM 与 XPU 逻辑芯片的集成采用的是 2.xD 封装:两者在平面上间隔排布,从底部走线。而在 zHBM 中内存堆栈直接放置在 XPU 之上,可实现数以万计的 I/O 通道,大幅提升带宽;同时布局的改动也意味着延迟仅有原来的 1/4,功耗表现也更为出色。总而言之,zHBM 能更好适应推理工作负载的需求

三星电子的 cHBM 是在 HBM 堆栈的 Logic Die 内部放置计算单元,这一设计可减少 HBM 与 XPU 间不必要的数据流动,最大化计算效率。根据三星的测算,cHBM 按 Token 吞吐量计算的能效是标准品的 2.8 倍。

而在 PIM 内存内处理方面,三星电子的代表表示,基于最新 LPDRAM 规范的 LPDDR6-PIM 目前正在 JEDEC 标准化的过程中,而 LPDDR5X-PIM 则预计在 2026H2 向主要客户出样。

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