三星电子计划在平泽P4晶圆厂建设一条用于生产HBM4内存所需1c nm DRAM Die的大型生产线，预计明年一季度投产，月产能达10~12万片晶圆。该生产线将贡献三星DRAM总产能的近1/5，加上现有产能，HBM4将占据三星DRAM产能的约1/4。同时，三星还计划升级华城Fab 17的DRAM生产线至1c nm，以满足移动设备等需求。
2 月 5 日消息，韩媒 hankyung 当地时间今日报道称，三星电子计划在平泽 P4 晶圆厂综合体建设一条用于生产 HBM4 内存所需 1c nm DRAM Die 的大型生产线。该生产线计划明年一季度投入生产，月产能达 10~12 万片晶圆。
作为参考，三星电子在 2026 年的月均 DRAM 产能为 66 万片晶圆，换句话说这一条生产线就能贡献总产能近 1/5 的制造能力。如果加上现有的约 6.5 万片晶圆 1c nm 月产能，那 HBM4 届时将占据三星 DRAM 产能的约 1/4。而在配套的 HBM4 Base Die 方面，平泽 S5 的 4nm 生产线已全面投入运营。
与此同时，三星电子还计划将华城 Fab 17 的现有 DRAM 生产线升级至 1c nm，以满足移动设备、家用电器等对先进通用型内存的需求。