台积电向世界先进授权650V高压和80V低压氮化镓制程技术，使世界先进成为全球首家能同时提供两种不同衬底氮化镓高低压工艺的晶圆制造服务公司。相关开发预计2026年初启动，2028年上半年量产。
1 月 28 日消息，台积电 (TSMC) 今日向其参股的特色工艺晶圆代工企业世界先进 (VIS) 授权 650V 高压和 80V 低压两种类型的氮化镓 (GaN) 制程技术。
通过此次授权，世界先进扩展其硅衬底氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺制程至高压应用领域，形成完整的 GaN-on-Si 平台。考虑到世界先进原就拥有 GaN-on-QST 制程平台，世界先进因此成为全球首家能同时提供两种不同衬底氮化镓高低压工艺的晶圆制造服务公司。
通过本次技术授权，世界先进将打造一个能与现有无缝接轨的氮化镓制程平台，并将于公司成熟的八英寸晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率。相关开发作业预计于 2026 年初启动，并于 2028 年上半年量产。
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