美光宣布启动新加坡首个双层NAND闪存晶圆厂建设，总投资约240亿美元，预计2028年下半年投产，以满足AI产业存储需求。
1 月 27 日消息，Micron 美光今日宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂，未来十年总投资约 240 亿美元（IT之家注：现汇率约合 1671.65 亿元人民币），预计 2028 年下半年投产。
▲ 美光新加坡现有 NAND 闪存制造设施 新加坡本就是美光的主要 NAND 生产基地之一，此次新建的晶圆厂洁净室空间达到 70 万平方英尺（约 65032 平方米），将与早前动工的 HBM 先进封装工厂一道满足 AI 产业快速发展带来的存储需求。