三星电子第六代10纳米级DRAM内存制程工艺（1c nm）良率已提升至约60%，突破量产盈亏平衡点，这将有助于其在HBM4内存市场获得更多利润。三星电子改变了近期策略，回归快速量产模式以应对市场动态，争取英伟达等重要客户订单。TrendForce集邦咨询预测HBM内存量产时间点最快将于2026Q1末到来。
1 月 17 日消息，韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1c nm）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。
此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1c nm DRAM。DRAM Die 的更高良率有助于三星在 HBM4 上获得更多的利润，进一步提升业绩表现。
报道表示，三星电子在 1c DRAM 上一改近期以良率优先、谨慎推动量产进程的策略，回到了快速进入量产以更积极回应市场动态的传统模式，这有利于从英伟达等重要客户手中赢得订单。
TrendForce 集邦咨询此前表示，在规格要求提升、现有 HBM3E 平台需求旺盛的推动下，HBM 内存的量产时间点最快将于 2026Q1 末到来，三星电子、SK 海力士、美光仍有时间精进产品良率表现。