1000 亿美元投资,美光宣布纽约州克莱 DRAM 内存晶圆厂 1 月 16 日动工

美光宣布将在纽约州克莱镇投资1000亿美元建设大型DRAM内存晶圆厂集群,预计2026年1月16日动工,建成后将成为全球最先进的内存制造基地。

1 月 8 日消息,Micron 美光宣布其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群项目将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式动工。

这一集群总投资 1000 亿美元(IT之家注:现汇率约合 7002.6 亿元人民币),将成为纽约州有史以来规模最大的一项单笔私人投资,完工后将形成全世界最先进的内存制造基地。

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