威刚展示 SD 8.0 标准 SDXC 存储卡:顺序读取 1.6 GB/s、写入 1.2 GB/s

威刚在CES 2026展会上展示了其最新的消费级闪存及嵌入式存储产品线,包括旗舰级SDXC存储卡、microSDXC存储卡、ePOP封装模块以及高性能UFS 3.1存储系列。这些产品在速度和容量上均有显著提升,满足专业摄影、高清视频录制及高端移动设备的需求。

1 月 6 日消息,科技媒体 TechPowerUp 今天(1 月 6 日)发布博文,报道称在 CES 2026 展会期间,威刚(ADATA)集中展示了旗下最新的消费级闪存及嵌入式存储产品线。

本次展台的焦点之一,是旗舰级 SDXC 存储卡,基于 SD 8.0 规格打造,通过引入 PCIe Gen 3 x2 通道与 NVMe 1.3 协议,该卡实现了高达 1.6 GB/s 的顺序读取速度与 1.2 GB/s 的顺序写入速度。

这款高性能存储卡主要满足专业摄影与高清视频录制的高吞吐需求,搭载了慧荣科技(SMI)的 SM2708 主控芯片,并提供 512 GB 与 1 TB 两种大容量选择。

针对小型移动设备市场,威刚推出了新款 microSDXC 存储卡。IT之家援引博文介绍,该产品采用 SD 7.1 标准及 SD Express PCIe Gen 3 x1 接口,同样搭载 SM2708 主控芯片,容量覆盖 256GB 至 1TB,连续读取速度达到 800 MB/s,写入速度可达 700 MB/s。

值得注意的是,威刚明确表示该款存储卡完全兼容任天堂 Switch 2 游戏机,这一官方背书侧面印证了新一代掌机将支持更高规格的存储扩展标准。

威刚在嵌入式存储领域同样带来了创新解决方案,推出了型号为 EPOP51C-02G32ATE 的 ePOP 封装模块。该模块创新性地将 eMMC 存储与 LPDDR4X 内存集成于单一封装内,可直接堆叠于 SoC 芯片上方以大幅节省电路板空间。

其内部包含 32 GB 的 3D TLC NAND 闪存与 32 GB 的 LPDDR4X 内存(HS400 模式),存储部分提供 190 MB/s 的读取与 115 MB/s 的写入速度。同时展出的还有型号为 EMMC51C-128GBTE 的 128 GB 独立 eMMC 封装产品,读写速度分别为 300 MB/s 和 260 MB/s。

为满足高端移动设备对数据吞吐的严苛需求,威刚还发布了高性能 UFS 3.1 存储系列。其中,型号为 UFS31A-512GATE 的产品拥有 512 GB 容量,其连续读取速度飙升至 2.2 GB/s,写入速度亦达到 1.9 GB/s。

该系列同时提供 256 GB 容量版本(UFS31A-256GATE),凭借极高的读写性能,为旗舰级智能手机及平板电脑提供了极具竞争力的存储选择。

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