韩媒报道称三星电子计划在2026年将HBM内存产能提升近五成，从每月约17万片增至25万片晶圆。投资重点将放在最新的HBM4上，通过转换现有DRAM产能和新建产线实现扩产。此前因HBM3、HBM3E产品表现不佳，三星HBM市场占有率下滑，但近期HBM3E和HBM4样品在英伟达、博通、AMD等客户的测试中表现良好，已获得2026年订单保障。
12 月 31 日消息，韩媒 ETNews 在昨日的报道中表示，三星电子将在明年积极提升 HBM 内存制造能力，理论产能将从当前的每月约 17 万片增至每月约 25 万片，增幅接近五成。
报道指出，三星的投资重心将放在最新的 HBM4 上，HBM 扩产的手段为转换现有 DRAM 产能和在平泽 P4 晶圆厂集群新建产线。
由于 HBM3、HBM3E 产品初期表现不及竞争对手，三星电子在 HBM 领域的市场占有在今年初经历了极速下滑，这导致在很长一段时间内其 HBM 生产线无法满载运行。
而从 2025 年下半年开始，三星电子在 HBM 领域接连收获好消息：HBM3E、HBM4 样品在英伟达、博通、AMD 三大客户的测试认证中的表现良好，保障了 2026 年的订单。