英特尔代工与ASML合作完成首台“二代”High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试，该设备在晶圆吞吐量、套刻精度和稳定性方面均有显著提升，并展示了在2DFET材料氧化物帽层选择性凹陷刻蚀及晶体管制造方面的合作成果。

12 月 16 日消息，英特尔代工官方当地时间昨日宣布，其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。

相较主要用于工艺前期研发的“一代”机型 EXE:5000，EXE:5200B 身上的“量产用设备”味道更浓：其配备了更高功率 / 剂量的 EUV 光源，晶圆吞吐量提升到每小时 175 块；套刻精度提升至 0.7nm；此外通过新的晶圆存储结构提升了整体效果的稳定性。

英特尔代工还在同一篇博客中提到，在 2025 IEEE IEDM 上，其与 imec 合作展示了对 2DFET 材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀以及在 12 英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。