SK 海力士计划在其下一代 V10 NAND 闪存中首次应用混合键合技术，堆叠层数将达到 300+ 级别。该技术通过将存储阵列和外围电路分别制造在两块晶圆上再键合，有助于提高良率、缩短生产时间并提升性能。SK 海力士预计在明年完成研发，2027 年初量产。

12 月 9 日消息，据《韩国经济日报》当地时间 8 日报道，SK 海力士将在其下一代 (V10) NAND 闪存中首次应用混合键合技术，而 V10 产品的堆叠层数将在 300+ 级别。

NAND 闪存传统上是以单片晶圆制造存储阵列 (Cell) 和外围电路 (Cell) ，但随着层数的增加，外围电路在堆叠加工中出现故障损坏的风险也同步走高。

在长江存储、铠侠-闪迪的混合键合工艺 NAND 中，Cell 和 Peri 在两块晶圆上分别制造，最后再键合为一体。这 有利于外围电路良率的保持，且有助于缩短生产时间、提升 NAND 整体性能。不过，实现高密度 I/O 连接的混合键合过程本身也相当复杂。

报道指出，SK 海力士正在开发 300+ 层堆叠的 V10 NAND（IT之家注：现有 V9 NAND 为 321 层），计划明年完成研发、2027 年初量产。