日本DNP（大日本印刷）宣布成功开发出线宽仅10nm的NIL纳米压印图案化模板，支持1.4nm级逻辑半导体以及NAND闪存的制造。该技术采用SADP（自对准双重图案化）方案，能耗仅有光刻机曝光工艺的1/10，计划于2027年开始批量生产。

12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）当地时间今日宣布成功开发出线宽仅 10nm 的 NIL 纳米压印图案化模板，支持 1.4nm 级逻辑半导体以及 NAND 闪存的制造。

DNP 在 NIL 图案化技术路线上已有超 20 年的研发历史，最新一代模板产品集成了光掩模和晶圆制造两部分的工艺技术专业知识，采用 SADP（自对准双重图案化）“套刻”方案，通过在初步图案的基础上薄膜沉积和蚀刻使线条密度加倍。

DNP 表示其最新的 NIL 技术能耗仅有光刻机曝光工艺的 1/10。该企业目前正与半导体制造商客户进行更深入的交流，计划于 2027 年开始批量生产。