2026年度IEEE ISSCC国际固态电路会议将于明年2月15~19日在美国加州旧金山举行，集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示。存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容，包括三星电子的VCT垂直单元晶体管4F²立体构型设计、SK海力士的14.4Gbps LPDDR6、48Gbps GDDR7等。

11 月 25 日消息，2026 年度 IEEE ISSCC 国际固态电路会议将于明年 2 月 15~19 日在美国加州旧金山举行，集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示。

IT之家注意到，存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容：

在 DRAM 内存底层架构方面，三星电子将带来以混合铜键合技术实现单元和外围堆叠的 VCT 垂直单元晶体管 4F² 立体构型设计 (15.10)。

在 LPDDR6 上，三星已宣布在明年初的 CES 上展出 12nm 制程的 10.7Gbps 版本，而 ISSCC 上则将有 16Gb 12.8Gbps 版本的介绍 (15.8)；而 SK 海力士的 1cnm 工艺 16Gb 14.4Gbps LPDDR6 也将亮相 (15.7)。

SK 海力士的 48Gbps 高速 24Gb 大容量 GDDR7 (15.9)。闪迪-铠侠的六平面 2Tb QLC (15.1)、三星的 36GB 3.3TB/s HBM4 (15.6) 也都将亮相。