网站首页 文章专栏 兆易创新:明年实现自研 LPDDR4X 内存量产并着手规划小容量 LPDDR5X 研发
兆易创新在2025年第三季度业绩说明会上宣布将实现自研LPDDR4X系列产品的量产,并规划LPDDR5小容量产品的研发,同时指出目前没有DDR5产品的相关规划。
11 月 24 日消息,国内 Fabless 半导体企业兆易创新在今日的 2025 年第三季度业绩说明会上表示,企业明年将实现自研 LPDDR4X 系列产品的量产,并着手规划 LPDDR5 小容量产品的研发,同时兆易创新存储业务目前并无 DDR5 产品的相关规划。
图源:Pixabay 对于利基型 DRAM 内存市场,兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续,并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平;而 NOR Flash 闪存短期来看处于供需相对偏紧的状态,产品价格维持温和上涨;此外由于部分海外大厂经营重心转移导致的供给短缺,兆易创新的 2D SLC NAND 闪存目前也开始涨价。
