英伟达考虑率先导入台积电首个采用背面供电技术的先进制程节点A16，显示出其在高性能计算芯片领域的潜力和技术进步。

9 月 15 日消息，台媒《工商时报》今日援引供应链的消息表示，英伟达考虑率先导入台积电首个采用背面供电 (BSPDN) 技术的先进制程节点 A16。

报道指出，英伟达上次使用台积电最先进制程技术制造芯片还是 110nm 时期，即 2004 年的 NV43 芯片。而英伟达之所以打破了这持续 20 余年的“常规”，是因为其看上了 A16 的潜力。

台积电在 A16 中导入了名为超级电轨 (Super Power Rail, SPR) 的解决方案，不仅释放了晶圆正面空间同时大幅度改进了压降问题，还能保持与传统正面供电下相同的栅极密度、布局版框尺寸和组件宽度调节的弹性。

相较台积电第二代 2nm 制程工艺 N2P，A16 在相同工作电压下速度提升 8_{10%、相同速度下功耗降低 15}20%、芯片密度提升 10%，显示了全面的 PPA 改进，适用于 HPC 高性能计算芯片。

近年以来台积电先进制程的首发芯片多是移动处理器或是矿机芯片，而在 N2 节点上 AMD 以 "Zen 6" EPYC "Venice" 打破了这一局面，显示 AI / HPC 已步入全球半导体市场舞台的中央。英伟达有望台积电 A16 制程打造 "Rubin" 后的下一代 "Feynman" AI GPU。