消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构
溯波(实习)

消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构

韩媒ZDNET Korea报道称,三星电子存储器业务调整先进内存技术路线图,首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构。三星正平行开发两种首代亚10nm级DRAM节点,计划在第7代10nm级1d nm后导入;原4F² VCT方案代号调整为D0a-V,新版D0a将在不同晶圆上制造存储阵列和外围电路,并通过W2W混合键合结合,以优化器件表现,商业化门槛相对更低。
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