创意电子宣布其采用台积电2nm N2P工艺制程的HBM4E物理层与控制器IP已完成设计定案，并获得客户AI ASIC采用。该IP支持16Gbps数据传输速率，优化功耗与面积，支持CoWoS-S/R/L先进封装，同时推出面向TSMC SoIC-X的face-up版本HBM4E IP以支持3D SoIC架构。
9 月 29 日消息，芯片设计服务与 IP 企业创意电子 (GUC) 本月 22 日宣布，其采用台积电 2nm 工艺制程 N2P 的 HBM4E 物理层 (PHY) 与控制器 (Controller) IP 已完成设计定案并获得客户 AI ASIC 采用。
创意电子的 HBM4E IP 支持 16Gbps 数据传输速率，提供业界领先的功耗与面积表现。其针对信号完整性、电源完整性进行优化，支持 CoWoS-S/R/L 先进封装。
而为支持 3D SoIC 架构，创意电子还提供了专为 TSMC SoIC-X 技术设计的 face-up 版本 HBM4E IP。这一变体集成用于垂直传输信号与电源的 TSV（硅通孔）结构，为复杂的 3D 整合架构建立完整的连接路径。