三星电子高管预计，明年HBM将占DRAM行业总晶圆产能近30%，高于目前约20%；HBM与普通DRAM争夺产能，扩大HBM产出可能挤压标准DRAM供给。HBM是AI算力关键元器件，市场主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。
9 月 29 日消息，据路透社报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家 DRAM 芯片厂商全部晶圆产能的近 30%，高于目前约 20% 的水平。
三星电子（SSNLF）执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）称，HBM 与普通 DRAM 争夺晶圆产能。这就意味着扩大 HBM 的产出规模，有可能会挤压标准 DRAM 的供给。
据IT之家了解，HBM 是 AI 算力当中的关键元器件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，可以让处理器以极高的速度读取海量数据。该市场目前主要由韩国的 SK 海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。