铠侠与闪迪联合发布第十代QLC 3D NAND闪存，采用CMOS直接键合阵列（CBA）并通过晶圆对晶圆键合实现332层堆叠。新一代在位密度提升约60%（超37Gb/mm²），并通过Toggle DDR6.0与独立命令地址协议（SCA）提升读写带宽，成为业界首款接口速率达4.8Gb/s的QLC 3D NAND技术。
8 月 4 日消息，铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm²）。
据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术，可在不同的晶圆上制造 CMOS 逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆（IT之家注：Wafer-to-Wafer）技术进行键合。
相比第八代 3D 闪存，新一代产品进一步提升了读写带宽，成为业界首款接口速率达到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 闪存技术。
此外，铠侠和闪迪的第十代 QLC 3D 闪存采用 332 层 NAND 堆叠技术，并通过 Toggle DDR6.0、独立命令地址协议（SCA）提升 60% 位密度。